通过RT曲线测量半导体能隙的问题我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.(算过好多遍,单

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/13 06:43:16
通过RT曲线测量半导体能隙的问题我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.(算过好多遍,单

通过RT曲线测量半导体能隙的问题我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.(算过好多遍,单
通过RT曲线测量半导体能隙的问题
我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.(算过好多遍,单位也没问题)
实在想不出是为什么,公式σ(T)=σ0*exp(–ΔE/kT) 是可用的吗?
急,十分希望高手们的指教!

通过RT曲线测量半导体能隙的问题我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.(算过好多遍,单
非高手过来探讨一下,你这个半导体是本征的吗?这个公式只对本征半导体有用吧,或者对于掺杂半导体,温度特别高,杂质能级全电离的情况,也就跟本征差不多了.4k-300k显然不够.
假如你这种半导体有各种各样的缺陷能级啊啥的,那就更加了.

通过RT曲线测量半导体能隙的问题我测了一个半导体材料的R-T曲线(4K-300K),做了lnR与1/T的图,通过计算斜率,得到能隙为3meV,但是文献表明这个材料能隙为3eV,整个差了3个数量级.(算过好多遍,单 半导体能隙怎么测量 CAD图 测量曲线长度我没用过 能告诉的具体点嘛 缓和曲线坐标计算公式我用常用测量计算公式计算出来有问题 就接近圆曲线的一半缓和曲线错误 怎么测量半导体薄膜的电阻率 将一曲线通过solidworks2011的 “插入——曲线——通过xyz电的曲线”导入SW中,要使其绕中心轴旋转,则需先将其“转化实体引用”,问题是我转化实体后发现实体线和原来的曲线不重合?如何能使 关于背单词方法的问题RT我听别人说了一个有关遗忘曲线的东西,然后他向我推荐了一个背单词的方法:假如一本单词书有400页:他让我一天背100页(理论上),然后4-5天就背完第一遍,然后重 测量电压的问题我把万用表放在 有被漆喷过地方 能测量出来吗 想请教一发光二级管问题,我测一led能发光,但读数显示为1rt,不是说pn 正向疏通测到的r直较小么 但现在led能光但表的读数为1 是表坏了还是led坏了,还是有什么我是不知道的呢.本人刚接触请指 半导体制冷片自制小冰箱 解决不好散热的问题 我已经用CPU风扇散热了 冷面温度还是不行15度左右谁能帮帮忙,除了水冷以外 需求曲线问题(需求曲线的弹性)明天要考微观了,需求曲线的弹性大于一,是一个笼统的说法,还是指需求曲线在某一区间内大于一,小于一.我知道弹性在需求曲线上是不断变化的,无论是弧弹 三极管特性曲线的测量我的课程设计要求出至少四条特性曲线.可是这样连接电路,一条也不出.就是通过示波器,显示四个Ib的输出特性曲线~ 根据氧垂曲线 能说明什么问题?刚学了氧垂曲线~谁知道如题的答案? 关于小灯泡伏安特性曲线问题,高中物理实验要求是电流表外接,因为小灯泡电阻较小,但是这不就是分压接法了吗,而分压接法适合测量阻值较大的电阻,我有些不懂了, 为什么相似的颜色会有相近的反射率光谱分布?我用spectrophotometer测量了几种相近的绿色的光谱反射率分布,发现他们的反射率分布曲线形状都是相同的,而且峰值都在500nm,谁能从理论上解释一 ug7.0用通过曲线组和通过曲线网格为什么总画出的是个实体,我想要曲面.求解答.如题 谢谢了 测量结果修正问题拜托了各位 谢谢此测量仪器测量之结果与真值偏倚曲线如下,请问,如果在不想委外校正的情况下,可以在实际测量中将结果进行修正处理吗?如,根据测量偏离曲线,将测量结果 氢氧化钙的溶解度曲线的问题氢氧化钙降温了会怎么样?升温呢?我记得有种方法能析出晶体.是什么方法.